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特色工艺
SIC
碳化硅器件(Silicon Carbide)
碳化硅质料具有高导热的质料特征，可在高温情形下正常运作。碳化硅功率器件具有耐高压、高频操作的优势。碳化硅器件可改善系统效率、可靠性，提升系统功率密度，小型化电力电子系统。在高可靠性要求的工业应用、高效电力系统、伺服电源及电力汽车等领域，碳化硅质料比其他新兴质料更具显着优势并被普遍应用。
PE
Inverter
Motor Contorl
Smart Power Grid
Ship &
Vessels
Windmills
UPS
xEV
碳化硅器件特点
碳化硅肖特基二极管具有高耐压、高导热质料特征，具有优异的反向恢复能力，可改善功率损失，提升系统的效率。
碳化硅MOSFET具有高速开关、低导通电阻等特征，在电力电子高频应用中，可以镌汰导通切换的功率损失，提升整系一切效率
SiC 平台工艺能力
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高温离子注入
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金属沉积
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高温退火
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激光退火
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深沟槽SiC刻蚀
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SiC栅氧
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SiC晶圆减薄
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自瞄准短沟道工艺
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高沟道迁徙率工艺
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零缺陷筛选工艺
Roadmap
